UV發(fā)光機(jī)構(gòu)PN結(jié)終端電壓構(gòu)成了一個(gè)特定的屏障，當(dāng)勢(shì)壘電壓時(shí)，當(dāng)勢(shì)壘向下時(shí)，P和N區(qū)域的大多數(shù)載波會(huì)擴(kuò)散到另一邊。由于電子的流動(dòng)比孔的流動(dòng)大得多，所以在P區(qū)擴(kuò)散中會(huì)有大量的電子，構(gòu)成P區(qū)域的少數(shù)載波注入。這些電子與價(jià)帶上的孔洞結(jié)合在一起，當(dāng)重新組合時(shí)獲得的能量以光能的形式釋放出來。這就是PN結(jié)光的原理。    

    uvled紫外線冷光源發(fā)光效率通常被稱為元件的外部量子效率，這是元件內(nèi)部量子效率的乘積，以及元件的去除效率。所謂元件的內(nèi)部量子效率實(shí)際上是元件本身的電光轉(zhuǎn)換效率，主要與元件本身的特性有關(guān)(如組件材料的能量帶、缺陷、雜質(zhì))、元件的組成和結(jié)構(gòu)。 而去除該成分的效率指的是在吸收、折射和在組裝過程中產(chǎn)生的光子的反射后，可以測(cè)量出的光子數(shù)量。因此，與萃取效率有關(guān)的因素包括組件材料本身的吸收、裝配的幾何形狀、組裝與封裝材料的折射率差以及組件結(jié)構(gòu)的散射特性。元件內(nèi)部量子效率的乘積和元件的 卸效率是整個(gè)組件的發(fā)光效應(yīng)，即元件的外部量子效率。早期組件開發(fā)集中在改善其內(nèi)部量子效率的主要方法是提高質(zhì)量的障礙和改變結(jié)構(gòu)的障礙,因此,電是不容易轉(zhuǎn)換成熱量,然后間接提高紫外LED發(fā)光效率,可以約70%的內(nèi)部量子效率理論,但這種內(nèi)部量子效率幾乎是接近理論極限。在這種情況下，通過提高元件的內(nèi)部量子效率來提高元件的總分量是不可能的，因此元件的提取效率成為一個(gè)重要的研究課題。目前的方法主要是:顆粒形狀變化-尖端結(jié)構(gòu)，表面粗糙度技術(shù)。      

    uvled紫外線冷光源電特性電流控制裝置，其負(fù)載特性與UI曲線的PN結(jié)相似，uvled紫外線冷光源正向電壓的很小變化可以導(dǎo)致正向電流(指數(shù)級(jí))大變化，反向漏電電流很小，擊穿電壓。在實(shí)際使用中，應(yīng)選擇。隨著溫度的升高，UV引導(dǎo)的電壓降低，溫度系數(shù)為負(fù)。紫外線引導(dǎo)能量消耗，部分轉(zhuǎn)化為光能，這是我們需要的。其余的轉(zhuǎn)化為熱量，從而使結(jié)溫上升。      

    紫外LED光學(xué)特性UV LED紫外線冷光源提供半寬度的單色光，因?yàn)榘雽?dǎo)體能與溫度上升，所以它的峰值波長(zhǎng)隨溫度升高而增加，也就是說，紅移。UV發(fā)光亮度與正向電流成比例。電流的增加，光亮度也近似增加。此外，明亮的亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。當(dāng)環(huán)境溫度高時(shí)，復(fù)合效率降低，光亮度降低。

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